在全球半导体产业竞争加剧的背景下，氧化镓作为新一代超宽禁带半导体材料，凭借成本与性能优势，正成为产业升级的重要方向。北京铭镓半导体有限公司近日宣布完成A++轮融资，金额1.1亿元，由彭程创投、成都科创投等多家机构联合投资。此次融资意味着氧化镓技术产业化进程更提速。氧化镓材料因其成本优势与性能表现备受关注。据铭镓半导体董事长陈政委介绍，氧化镓成本约为第三代半导体碳化硅的三分之一，但其击穿电场强度超过碳化硅的2倍，在高压、高温应用场景中更具潜力。本轮融资将重点用于6英寸氧化镓衬底的研发与量产，有关突破将推动氧化镓进入规模化流片制造阶段，为终端应用提供更高效、更具成本优势的解决方案。铭镓半导体的产业化布局不仅体现在技术研发，也通过产业链协同加快落地。作为北京市唯一聚焦超宽禁带半导体的育新平台，公司开放3000平方米实验平台及50余套精密设备，为上下游企业提供样品试制、性能检测等服务。同时依托博士后科研工作站，铭镓半导体联合高校与科研院所组建研发团队，推进氧化镓在无人机、新能源汽车等领域的应用转化。产业需求与技术推进共同带动企业业绩增长。2025年，铭镓半导体实现年度产值3000万元、营收2500万元，并计划于2026年进一步扩大产能，力争产值与营收双双突破亿元。此外，公司获得顺义区第三代半导体重点支持项目资金5000余万元，政策与资本的叠加支持为后续发展提供了支撑。未来，铭镓半导体将继续聚焦氧化镓材料与工艺，推进第四代半导体产线建设，并通过持续研发投入与市场拓展，提升行业竞争力。随着氧化镓产业化加速，该材料有望在新能源汽车快充、智能电网等场景中释放更大价值，为中国半导体产业自主创新提供新的增长点。
新材料产业的竞争——不只是单项技术的较量——更考验“研发—制造—应用—生态”的全链条能力。氧化镓产业化提速，既需要企业在关键工艺上持续突破，也离不开资本的长期投入、政策引导与应用场景的开放协同。以更大尺寸衬底量产为牵引，同步推进标准化、规模化与应用验证，才能把技术优势转化为产业优势，为高质量发展夯实硬科技基础。