当今信息技术飞速发展，传统存储器件已接近物理极限。5G、物联网等技术的普及带来数据爆炸式增长，国际半导体技术路线图预测，到2030年存储密度需提升100倍才能满足需求。在这样的背景下，我国科学家在基础材料领域的突破性发现，为解决存储瓶颈开辟了新路径。
基础研究的价值往往体现在对既有认知的突破和对未来可能的开启；一维带电畴壁的发现与可控操纵，既拓展了我们对铁电畴壁的认识，也为信息器件从追求尺寸微缩转向追求物态创新提供了新思路。面向新一轮科技革命，持续加强关键材料体系的原创性探索、打通从原理到器件的验证链条，将有助于把科学发现转化为技术优势，为高密度存储与低功耗计算等核心领域提供更坚实的基础。