这回IT之家带来了来自Korea的Business Korea报道。大家都在琢磨，HBM4E这块芯片，三星准备采用2nm制程来打磨base die了。它打算在基础裸片上做文章，把性能给提上去。这个想法其实是想给未来的DRAM技术铺路，特别是要结合1c DRAM技术，争取在这轮比拼里给竞争对手SK海力士点颜色瞧瞧。至于怎么用这些先进技术呢？三星电子是打算用自家的晶圆代工部门来搞这个4nm工艺的base die，再搭配第六代10nm工艺的1c DRAM。就这样，它就领先了SK海力士一大截。因为后者用的是台积电12nm工艺。 说到原理层面，HBM这块儿大家都知道是由core die和base die两部分组成的。Core die那是负责垂直堆叠的DRAM，而base die则是起个控制器的作用。在HBM3E之前，base die也就是管管简单的控制功能罢了。可是到了HBM4这个时代啊，事情可就不一样了。这时候base die不光要控制了，还得直接去处理一部分计算任务。逻辑电路功能可是加强了不少呢。 行业内的朋友透露说，三星现在正在为第七代HBM（也就是HBM4E）的base die评估2nm制程工艺。半导体行业里的人都预计啊，从HBM4E开始，面向客户的定制化HBM芯片就要正式登场了。关于时间表嘛？三星计划年中先发布个标准版的HBM4E，到了下半年再根据客户的安排去做那个定制产品的首次tape-in（流片）。