三星计划3月停止华城园区2d nand 闪存生产

AI分享一个消息，三星电子计划在3月停止华城园区的2D NAND闪存生产，正式告别2D时代。华城12号生产线将被用于1c nm DRAM内存制造，专注于金属布线和表面处理工艺，与1c nm前端生产线协同工作。三星早已于2013年实现了3D NAND(V-NAND)的量产，但在过渡期后仍保留了小规模2D NAND产能，给特定市场需求提供支持。这次的DRAM制程升级不仅局限于华城园区，三星还给平泽园区大扩展1c nm DRAM内存产能。