就在1月30日，东南大学和南京大学的专家们联手搞出了个大动静。物理学院的王金兰教授和南京大学的王欣然教授，把金属有机化学气相沉积技术给用上了，还加上了氧辅助策略。他们就是想把这个技术中的碳污染问题给解决掉，结果发现还真行。这就把二维半导体的迁移率低、晶畴尺寸小这些难关都给跨过去了。 记者了解到，王金兰团队这次用了一种创新的设计方式。他们让氧气和前驱体在高温下充分预反应，结果发现反应速率一下子就提升了好几百倍。这个方法不光把生长速率给提上去了，还能让二硫化钼的晶畴尺寸变大好多倍。 之前二维半导体产业化总是卡在两个点上：一是要找那种大尺寸、低对称性的衬底做模板，二是材料太薄了对生长环境太敏感。王金兰就说了，“这次我们在这个过程中引入氧气”，就彻底解决了大面积均匀生长的难题。 这一研究成果直接发表在《科学》杂志上，王金兰强调说，“这就标志着二维半导体单晶量产的核心技术有了实质性突破”，给以后的集成电路、柔性电子还有传感器这些领域应用铺平了道路。