台积电把埃米工艺纳为进军目标，计划在2030年拿出首个埃米级产品。为了实现单芯片2000亿晶体管的目标，他们打算把单芯片的晶体管密度提升到这一高度。目前已经有6座晶圆厂在台南沙仑园区蓄势待发。3月16日传出的消息显示，这里将建设总面积531公顷的厂房，预计今年4月进入二期环评程序，2027年第三季度完成最终环评。评估结束后就能交付给台积电使用，初期预计至少有200公顷土地可供建厂。按计划，P1到P3这三座工厂将用于生产1.4nm工艺的A14芯片，P4到P6工厂则是1nm工艺的主战场。今后可能还会考虑0.7nm工艺的可能性。台积电的路线图里提到了很多时间节点。去年底2nm工艺N2正式量产，苹果和AMD今年开始规模商用。NVIDIA的费曼GPU将首发搭载A16工艺芯片，这个工艺要到今年底试产、2027年才能量产。接着是1.4nm级别的A14工艺，它会采用第二代GAA晶体管结构和背面供电技术，预计在2028年亮相。再之后就是万众瞩目的1nm工艺了。关于它的命名惯例是A10，这意味着它是全球首款埃米级工艺。不过Intel之前抢先公布了20A工艺（相当于1.1nm），并声称是埃米工艺的第一家，但因为没做到真正的1nm以下而饱受质疑。目前关于台积电1nm工艺的具体细节并不清楚。有传闻说他们打算把晶体管结构从GAA升级到CFET，甚至可能用上2D材料来实现突破。台积电定下的目标是在2030年实现1nm工艺面世。他们在2023年提出要在这一节点上把单芯片的晶体管密度提升到2000亿个，加上3D封装后整体能达到1万亿个晶体管的水平。这个目标和Intel早些年喊出的口号一模一样。谁能先做到这个目标呢？咱们拭目以待。