咱们先说说双面Poly-c-Si TOPCon电池，虽然工序稍微多了点，但是效率那是真的高。为啥这么说呢？因为单面电池的电极直接落在硅片上，载流子复合损耗根本躲不掉，而双面结构把电极抬到了钝化层上方，彻底切断了金属和硅的直接接触，复合损失少了一大截，效率自然就上去了。 具体怎么做呢？这里面有个LPCVD路线，一共12道工序把“本征层”做到双面。第一步肯定是湿法清洗，得先把硅片表面的损伤和污染物弄干净。接下来就是硼扩散，把硼离子深植入硅片中形成PN结。然后是背抛，把背面的硼层给剃干净。这时候正面就留下了BSG层，这层东西在后面的磷扩散中就起到了护壁的作用。磷扩散完成后还要去氧化，把BPSG和PSG给剥除掉。接着就是LPCVD了，在管式炉里一次性把SiO/Poly-Si本征层覆盖在前后两面。 紧接着是掺杂源浆料印刷这一步很关键，直接决定了后续的成败。丝网印刷加上烘干之后就能形成局部掺杂的种子。如果配方弄得好的话甚至可以省掉后面的硬掩膜步骤。然后是热推进，高温把杂质拉进Poly-Si层里。再接着是掩膜制备和化学刻蚀。到了这一步非扩散区的Poly-Si就被选择性刻蚀掉了。 最后就是镀膜和金属电极了。正面用管式PECVD镀上AlO/SiN叠层钝化膜来减反射和钝化；背面同样镀上一层SiN。然后再把正面背面的金属电极印刷烧结完成所有工序。 当然除了LPCVD路线还有PECVD路线也是个不错的选择。只需要两步PECVD就可以替代LPCVD路线中的部分步骤。这种路线设备投资低、沉积速率快是个不错的选择。只要每一步参数都控制到位，双面Poly-c-Si TOPCon电池在实验室里跑出来的效率比单面的要高出一个百分点左右。