1987年，吉林大学团队首次产出CVD金刚石，自此耕耘60余年，构筑了从研发到应用的完整产业链。他们就把六方金刚石界面优化这一难题给攻克了，终于在2026年拿到了毫米级的高质量单晶样品。围绕这一重大突破，邹广田院士的团队一直在系统攻关。邹广田团队提出了“台阶流调控技术”，并靠着它制备出了2英寸的单晶金刚石。这项技术不仅简化了工艺，还降低了成本。邹广田团队还联合开发了激光隐形切割技术，成功剥离了厚度350微米的自支撑晶圆。他们给国际学术期刊《FunctionalDiamond》提交了一篇论文，标题是《中国科学家突破2英寸单晶金刚石制备技术》。吉林大学高压与超硬材料全国重点实验室早在1987年就开始涉足金刚石制备领域。这个实验室为全球碳基半导体和超硬技术提供了不少解决方案。邹广田团队发现了“单晶生长区”，实现了无边缘多晶伴生稳定生长。 金刚石以其卓越的物理和电学性能被称为“终极半导体”，邹广田团队揭示了“一致台阶流”在平滑过渡拼接缝中的作用。吉林大学形成了国内最完整的金刚石研发-制备-应用链条，支撑了国家的自主可控。这个团队还简化了制备工艺并降低了成本。《FunctionalDiamond》在2026年发表了相关成果的论文。邹广田团队解决了高质量单晶金刚石制备难题。这个突破标志着我国在超宽禁带半导体战略材料金刚石制备技术上迈出了关键一步。 随着器件集成验证和产学研融合的推进，金刚石行业正迎来全面商业化的黄金期。此次突破让我国在超宽禁带半导体战略材料金刚石制备领域取得了重要进展。