美光将hbm4e的开发速度给加了起来，采用的是1 这个工艺，之后还打算引入1 节点

美光把HBM4E的开发速度给加了起来，采用的是1γ这个工艺，之后还打算引入1δ节点。为了增强合作稳定性，他们正把以前的长期协议LTA换成更具体的SCA战略客户协议。这次HBM4E是基于1γDRAM Die做的，预计2027年就能量产。这节点用到的EUV光刻数量会更多，美光为了提高洁净室的效率和图案化表现，决定给它导入High NA EUV设备。在DRAM工艺开发方面，他们确认要引入1δ（第7代10nm级）工艺。美光还预测2026年全球DRAM和NAND供应规模能增长20%左右，PC和智能手机出货量大概会有一成多的下滑。因为要满足晶圆厂洁净室建设的需求，他们把本财年的资本支出给增加了。这份五年期的SCA已经签署了，这样可以给美光提供更好的业务可见性与稳定性，也能给客户更大的确定性，从而深化双方的长期合作。IT之家消息提到，这次美光在FY2026Q2财报会议上说明，HBM4E这个下一代HBM内存正在开发之中。他们计划用SCA协议来替代传统的LTA协议。HBM4E使用的是1γ这个第6代10nm级工艺的DRAM Die。IT之家补充说明，这里的EUV应该是指High NA EUV设备。Micron美光提到DRAM和NAND供应增长20%的预期是针对2026日历年的。