磁存储技术是信息时代的重要底层技术，但性能提升长期受制于材料与机理瓶颈。传统铁磁材料便于电学读写，却因固有杂散磁场限制存储密度提升；其磁动力学频率停留在吉赫兹量级，也使写入速度难以继续突破。反铁磁材料没有杂散场、且具备太赫兹动力学潜力，但电学读写手段不足，应用推进缓慢。如何兼顾高密度、快写入与可电控，成为磁存储发展的关键问题。
从“能否翻转”到“零场可控、完全且高效地翻转”，手性反铁磁研究跨过了基础物理与器件工程之间的关键门槛。面向存储与太赫兹信息技术的双重需求，此进展既反映了我国在自旋电子学前沿的原创能力，也提示未来材料设计应更强调“结构—机理—性能”的协同优化，以更可靠的可制造性与稳定性推动新型信息器件落地。