三星电子跟大家汇报说，他们在2nm制程上的良率爬坡比预想的顺利多了，在那边的进展很乐观。至于美国得州的泰勒厂，还在装设备呢，预计年底就能让第一片晶圆流出来，不过想拿到货，估计还得等到2027年。至于卖HBM，三星表示2026年的目标是销售额翻三倍，还打算把市场占有率给超过30%。至于HBM3E的价格，今年可能会给咱们稍微调一调。对于接下来的HBM4，三星打算把先进制程、存储器还有封装这些技术全打包好，做一套“交钥匙”方案来推动增长。 摩根大通那边在韩国开投资者会议时，三星高管还提到打算把一些产能利用率不高的生产线转移到做先进封装上去。在得州的那个项目进展挺顺利的，现在设备安装都差不多了。至于卖HBM的事，三星电子说今年就会看到HBM3E的价格有所改善。对于HBM4以后的发展，他们打算扩大跟代工厂伙伴合作的定制逻辑芯片业务。 泰勒厂那边设备安装工作进行得很顺利。三星电子在这次投资者会议上跟摩根大通聊了聊2nm制程的情况，说良率爬坡比想象中要好。他们还提到了打算把产能利用率低的生产线转做先进封装。 至于HBM4这一代，三星打算利用包含先进制程、存储器还有先进封装的完整解决方案来增长。对于2026年的销售额目标是翻三倍，市占率要超过30%。他们还预计HBM3E的价格今年会有改善。 得州泰勒的晶圆厂项目当前正处于设备安装阶段。针对明年的HBM业务，代表重申了销售增长三倍和市占率超30%的目标。对于逻辑芯片定制合作，三星计划扩大与代工厂伙伴的合作范围。 在这次摩根大通投资者会议上，三星高管表示2nm先进制程的良率爬坡进展好于预期。他们考虑将产能利用率低的生产线转移至先进封装方向。HBM方面他们重申了2026年增长目标。 韩国得州泰勒厂预计年底完成首批流片。对于HBM3E价格今年可能改善的说法得到了确认。 针对得州泰勒厂项目的最新进展是设备安装阶段已经开启。关于HBM4世代的增长点设定在了完整解决方案上。 这次摩根大通会议上三星高管还讨论了产能转移的问题。 对于先进封装的未来规划是把低利用率的生产线转移过去。 在这次交流中还提及了扩大与代工厂逻辑芯片定制合作的计划。 对于美国得州泰勒厂的首批出货时间预计在2027年。 关于2nm制程方面的乐观进展也在这次会议中有所体现。