三星电子加速布局高带宽内存（HBM）的消息引发业界关注。据透露，三星计划明年一季度平泽P4晶圆厂新建大型HBM4生产线，月产能预计达10万至12万片晶圆。以2026年预计DRAM月产能66万片计算，该产线将贡献近五分之一的产能；若加上现有6.5万片1c纳米产能，HBM4在三星DRAM总产能中的占比可能接近25%。此外，三星还计划升级华城Fab 17的DRAM产线至1c纳米工艺，主要面向移动设备和家用电器市场。配套上，用于HBM4基底芯片的平泽S5 4纳米产线已全面投产。
三星电子的产能扩张计划表明，把握AI时代的芯片需求对产业竞争至关重要；从平泽P4到华城Fab 17——从HBM4到通用DRAM——三星正在构建更完善的产能体系。这不仅是企业战略调整，也反映了全球芯片产业升级的趋势。随着新产能陆续投产，高端芯片供应格局将发生变化，对推动AI产业发展具有积极意义。