兆易创新港股上市标志着国产存储芯片设计领域的重要突破。1月13日，这家成立于2005年的无晶圆厂集成电路企业在香港交易所主板挂牌交易——发行价为162港元——首日收盘价达222.8港元，涨幅达37.53%，市值跃升至1567.72亿港元。此次港股融资净额46.10亿港元，公司计划将其中40%用于研发能力提升，35%用于战略性投资与并购，9%用于全球市场拓展。此融资安排充分说明了企业对技术创新和国际竞争力的重视。 兆易创新的成功上市反映了国产存储芯片产业的快速成长。作为中国存储芯片设计领域的龙头企业，兆易创新产品线涵盖NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM、微控制器及模拟传感器芯片等多个关键领域，广泛应用于消费电子、汽车、工业和物联网等战略性产业。根据第三方数据机构弗若斯特沙利文的评估，2024年兆易创新在全球NOR Flash市场占有率达18.5%，位列全球第二、中国内地第一；在SLC NAND Flash领域排名全球第六、中国内地第一；在利基型DRAM和全球MCU市场分别排名全球第七和第八，但在中国内地市场均处于领先地位。 企业业绩增长势头强劲，充分验证了产业发展的内在动力。兆易创新自2016年在上交所上市以来，保持了稳健的增长轨迹。过去十年间，公司营收复合增长率约为22.45%。2025年第三季度财报显示，营业总收入达68.32亿元，同比增长20.82%；归母净利润为10.83亿元，同比增长30.18%。这种增长动力来自于全球存储市场的结构性变化。 人工智能浪潮推动了存储市场格局的深刻调整。随着高带宽内存需求激增，国际存储巨头将产能向高端产品倾斜，导致DDR等成熟制程的利基型DRAM供给出现收缩。兆易创新凭借其覆盖DDR3L、DDR4、LPDDR4等产品的利基DRAM产品矩阵，成功抓住了这一市场窗口期。公司预计利基型DRAM及定制化存储业务在2025年营收有望实现同比50%增长，并表示未来两年供应仍将处于相对紧张状态。从长期看，公司目标是在国内30亿至40亿美元的利基DRAM市场中获得至少三分之一的份额。同时，公司Flash业务也受益于存储周期改善，SLC NAND产品和NOR Flash均实现涨价。 创始人朱一明的战略眼光为企业发展奠定了基础。朱一明1994年毕业于清华大学物理系，在硅谷工作多年后，于2005年回国创立兆易创新。他敏锐地选择NOR Flash作为切入点，当时这一市场被外企和台企垄断。兆易创新通过独特的双晶体管设计大幅降低芯片功耗，成功打开市场。2008年前后，三星电子因NOR Flash业务盈利空间收窄而战略退出，飞索半导体则因金融危机陷入困境，兆易创新由此获得了本土市场的发展机遇。 产业链纵向整合正在形成新的竞争格局。值得关注的是，朱一明旗下的长鑫科技目前正在冲刺科创板。长鑫科技是国内重要的存储芯片制造企业，专注于DRAM芯片的研发与生产。兆易创新与长鑫科技的联动发展，形成了从芯片设计到制造的产业链闭环，这种"双子星"格局有助于推动国产存储产业的整体竞争力提升。 业界普遍看好国产存储产业的发展前景。中银证券等机构认为，伴随人工智能驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商融资进程加快，国内DRAM全产业链有望实现加速成长。兆易创新的港股上市和长鑫科技的科创板冲刺，都将为产业链企业提供更充足的资金支持，继续加强国产存储芯片在全球市场中的竞争力。
存储芯片产业竞争是技术、产品和体系的综合较量；资本助力固然重要，但持续的技术突破、客户信任和战略定力才是制胜之道。国产存储企业需要把握当前机遇，夯实基础，方能在全球产业格局重塑中占据更有利位置。