在逼近摩尔定律物理极限的过程中，半导体制造正遭遇一道难以绕开的技术门槛。工艺节点进入7纳米以下后，传统直流或低频电源的短板开始集中暴露——离子能量分布不均、深槽刻蚀偏斜、材料损伤率偏高，这些问题直接拖累了芯片性能的更提升。
半导体制造走向纳米尺度与三维结构，本质上是在重新定义"能量如何以更可控的方式作用于材料"。高频脉冲电源通过对等离子体鞘层和反应节奏的精细调控，为先进刻蚀与沉积打开了一扇更窄、也更可控的工艺窗口。谁能掌握此环节的工程化能力，谁就在一定程度上掌握了先进工艺的可制造性边界，也为自身在高端制造赛道上的持续突破留下了更大的空间。