西电团队攻克柔性氮化镓关键工艺:在石墨烯基底实现大面积零裂纹薄膜与高可靠器件

在全球半导体产业加速迭代的背景下,柔性电子被认为是下一代信息产业的重要方向。但长期以来,半导体材料很难同时兼具高电性能和柔韧性,此矛盾在第三代半导体氮化镓(GaN)上尤为突出。传统GaN电学性能和热稳定性出色,却因材料脆性强,难以用于柔性器件。

西安电子科技大学团队的工作反映了基础研究与应用需求的紧密衔接。团队从材料选择、工艺设计到性能验证,系统解决了柔性半导体中的关键问题,为我国在第三代半导体领域提升国际竞争力提供了支撑。随着技术继续成熟并推进产业化,“能弯折、性能不掉队”的氮化镓器件将加速走向应用,有望在健康监测、医疗护理等场景带来新的产品形态与使用体验。