我刚听说挪威有家叫Lace Lithography的初创公司搞出了0.1纳米的光刻机原型，那精度直接干到了单个氢原子的大小，这可比阿斯麦（ASML）家EUV光刻机的13.5纳米波长强多了。虽然路透社发了消息说他们拿到了4000万美元的A轮融资，打算搞这套新设备，用氦原子束在硅片上画图，但这事儿看着简单，其实技术含量极高。他们完全抛弃了传统的电磁辐射，直接用中性氦原子当图案媒介，这就把光子光刻的衍射极限给绕过去了。咱们之前不是老被台积电和英特尔那些企业折腾得厉害吗？为了突破极限，不得不用多重曝光技术吗？现在Lace的技术直接就把这道坎给填平了。公司的首席执行官博迪尔・霍尔斯特说得挺神的，说这能让芯片厂商实现"终极原子级分辨率"的光刻。Imec的光刻科学总监约翰・彼得森也说，这技术能把晶体管这些尺寸缩小一个数量级，那是真的强。 咱们再看看Lace以外的其他挑战者。美国的Substrate和xLight正在搞基于粒子加速器的极紫外或X射线光刻设备。更猛的是xLight，已经拿了美国政府1.5亿美元的资助。日本佳能那边也很有动静，2024年9月就给德州电子研究院送去了纳米压印光刻设备。中国的璞璘科技也在国内交付了自研系统，线宽做到了10纳米以下。大家的路子都不一样，但目标都一样——就是要打破对ASML EUV光刻机的依赖。 不过话说回来，从实验室到量产这一步差得还很远。Lace打算在2029年把设备部署到试验产线上，但真正规模化量产还得熬上好多年。你想想光刻机这玩意儿到底有多难造？以ASML的EUV光刻机为例吧，它得用高功率激光每秒差不多5万次精准击打直径只有20微米的高速下落的锡液滴来产生光。这过程真的是太难了！光学系统更是讲究，反射镜的面形误差得控制在0.02纳米以下；机械控制系统也很变态，工件台的运动速度能达到5米/秒，但和掩模台的同步误差平均值还得小于0.5纳米。一台EUV光刻机里光是零部件就有超过10万个，电缆长度更是超过2公里。ASML在这项技术上的投入加起来超过60亿欧元啊！ 所以说呀，Lace的这个新技术虽然看着前途无量，但要想真正商业化量产，还得慢慢摸索。毕竟现在他们还没有成熟的工艺流程生态可以对接呢。