存储芯片产业迎来新一轮增长周期。
SK海力士1月28日公布的2025财年成绩单显示，公司实现了近年来最为亮眼的业绩表现。
全年营收97.1467万亿韩元（约合679亿美元），较上年增长47%；营业利润47.2063万亿韩元（约合330亿美元），同比增长101%；净利润42.9479万亿韩元（约合300亿美元），增幅达117%。
这一成绩不仅刷新了公司历史纪录，也反映出全球存储芯片市场需求的强劲复苏。
AI产业的蓬勃发展是推动海力士业绩增长的核心动力。
作为全球三大存储芯片厂商之一，海力士在AI芯片存储领域的技术优势日益凸显。
公司在高带宽存储芯片（HBM）业务上实现了销售额同比增长超过一倍的成绩，成为创下历史最高业绩的关键引擎。
目前，海力士是全球唯一能够同时稳定供应HBM3E和HBM4两代产品的厂商，这一独特优势使其在AI芯片供应链中占据重要地位。
第四季度的表现尤为突出，进一步验证了公司的市场地位。
该季度营收32.8267万亿韩元，环比增长34%；营业利润19.1696万亿韩元，环比增长68%；营业利润率达到58%，三项指标均创历史新高。
这种环比加速增长的态势表明，随着AI应用的深入推进，对高端存储芯片的需求正在加速释放。
在DRAM领域，海力士持续强化技术竞争力。
公司已正式量产第六代10纳米级DDR5 DRAM芯片，并成功开发基于第五代10纳米级的业界最高容量256GB服务器DDR5 RDIMM模块，进一步巩固了在服务器存储市场的领导地位。
与此同时，海力士与三星等厂商已与苹果完成谈判，将大幅上调今年一季度供应的iPhone低功耗DRAM价格，反映出存储芯片供应紧张的市场现状。
在NAND闪存业务方面，海力士同样取得显著进展。
公司在上半年市场需求疲软的背景下，完成了321层QLC产品研发，下半年通过应对企业级固态硬盘需求，创下了年度销售额历史新高。
这表明公司在多个存储芯片领域均保持了技术领先和市场竞争力。
面对持续增长的市场需求，海力士制定了雄心勃勃的产能扩张计划。
公司计划提前实现韩国清州M15X工厂产能最大化，并通过建设韩国龙仁集群首座工厂，中长期稳步扩充生产基础设施。
同时，海力士将推进韩国清州P&T7工厂和美国印第安纳州先进封装工厂建设，构建融合前端与后端工艺的全球一体化制造能力，以灵活应对客户需求的变化。
海力士对未来市场前景持乐观态度。
公司预计，随着AI市场从训练阶段向推理阶段转型，分布式架构的需求将持续扩大，存储器的重要性也将进一步凸显。
不仅HBM等高性能存储器需求增长，面向服务器的DRAM和NAND闪存等整体需求也将同步扩大。
为此，公司将通过HBM4产品巩固领先地位，并深化与客户及合作伙伴的协作体系，为"定制化HBM"这一新一代核心竞争要素做好充分准备。
创纪录的业绩也使海力士推出了大规模股东回报政策。
公司宣布实施每股1500韩元的额外分红，总规模达1万亿韩元。
加上季度股息375韩元，末期股息将达每股1875韩元。
2025财年每股股息总计3000韩元，总回报规模达2.1万亿韩元，充分体现了公司对未来发展的信心。
SK海力士以创纪录的财务表现凸显存储产业结构性升级的现实路径：从拼规模转向拼技术、拼协同、拼交付。
面向新一轮高端存储竞争，能否在扩产与稳价之间把握节奏、在产品标准化与定制化之间找到平衡、在全球制造布局中提升韧性，将直接影响企业穿越周期的能力，也将重塑全球存储产业的竞争格局。