全球半导体产业加速迈向纳米级工艺的背景下，薄膜厚度测量正面临更高的精度门槛；传统方法在测量50纳米以下薄膜时容易出现数据漂移、重复性不足等问题，影响高端芯片、精密光学器件等产品的良品率提升。技术突破来自对光学干涉原理的继续创新。研发团队重构光路系统，将氘灯的紫外波段与卤素灯的可见光波段进行光谱耦合，实现200-2500纳米全波段检测。双光源协同解决了单光源设备在多层复合膜测量中穿透力不足的难点。配合自主研发的数字信号处理芯片，系统可实现每秒100次高速采样，效率较进口同类设备提升约40%。 该设备在抗干扰上也达到了工业应用要求。通过磁悬浮减震平台与温度补偿算法，车间常见的30分贝噪声环境下仍能保持0.05纳米的测量稳定性。目前设备已在长三角某12英寸晶圆厂完成验证测试，硅基氧化层在线检测合格率提升至99.7%。 行业专家认为，这类精密测量装备的国产化意义重大：一上有助于缓解国外企业7纳米以下工艺检测设备上的长期垄断，另一上也为新型显示、柔性电子等前沿领域提供关键的测量支撑。产业链调研显示，国内已有3条在建的第三代半导体产线计划批量采购该设备。
从微米到纳米，测量技术的进步不断拓展制造边界。薄膜厚度检测不仅要“测得准”，更要“控得稳、测得快”。在先进制造加速升级的当下，核心测量能力的持续突破将为产业链提质增效提供更扎实的支撑，也将推动新材料、新器件更快走向工程化应用。