阿斯麦（ASML）的NXE系列EUV光刻机业务执行副总裁Teun van Gogh，接受了路透社采访。他透露了一个技术突破：到2030年，升级后的设备每小时能处理330片晶圆。这比现在的220片产量高出不少。每片晶圆能产出数百到数千颗芯片，这对整个行业来说意义重大。此外，ASML的首席技术官Michael Purvis提到，他们已经找到了提升EUV光源功率的方法，并且把这个系统稳定输出1000瓦功率。这次突破使芯片产量提升了50%。 这次ASML的重大进展，源于他们改进了光刻机中技术难度最高的锡滴发生器。大量二氧化碳激光加热锡滴，使其变成等离子体，再由等离子体发出极紫外光。珀维斯解释道，“你们看到的不是花拳绣腿，而是能在客户实际生产环境下稳定输出1000瓦功率的系统。”这次突破是通过将锡滴数翻倍至每秒10万次实现的，并且把两次较小的激光脉冲塑形等离子体代替了原来一次成型。 IT之家消息指出，在这个过程中，珀维斯强调，“你必须掌握激光技术、等离子体科学还有材料科学”，才能完成这样复杂而挑战性的工作。他还补充道，“从理论上讲，未来突破2000瓦也不存在根本性障碍”，这为ASML后续发展打下了坚实基础。 ASML通过这次技术突破拉开了与所有潜在竞争对手之间的差距。滕・梵高指出，“你们看到的是一个能在客户实际生产环境中所有相同要求下稳定输出1000瓦功率的系统”，这无疑给竞争对手施加了巨大压力。 这次EUV光源技术突破意味着芯片制造过程中曝光时间大幅缩短。借助功率更高的EUV光源，芯片厂所需曝光时间缩短了很多。这就意味着每小时能制造更多芯片，从而降低单颗芯片的成本。 在芯片制造过程中，极紫外光照射到涂有光刻胶的硅片上就像是“打印”一样。珀维斯和Teun van Gogh认为，“这就像是在纳米级精准度上掌握激光技术、等离子体科学还有材料科学”，因此他们才有信心说“未来突破2000瓦也不存在根本性障碍”。 这次重大进展是由迈克尔・珀维斯带领团队完成的，“你们看到的不是花拳绣腿”，而是一个能够真正提升产能并且降低成本的系统。这次技术攻关旨在生成具备合适功率和特性的极紫外光以实现高产量芯片制造。 阿斯麦通过强化光刻机中最复杂部件之一——锡滴发生器实现了功率提升，“你们看到的不是花拳绣腿”，而是实实在在的技术成果。迈克尔・珀维斯表示，“我们已经找到了把EUV光源功率从目前600瓦提升至1000瓦的方法”，这个系统能在客户实际生产环境下稳定输出1000瓦功率。